1. 介紹

對電子設(shè)備性能和靈活性的新要求正在使制造基礎(chǔ)架構(gòu)從傳統(tǒng)的基于掩模的光刻技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)橛糜诟呒壏庋b和異構(gòu)集成的數(shù)字光刻技術(shù)。片上系統(tǒng)正在從單片解決方案轉(zhuǎn)向封裝，小芯片和功能塊中的模塊化系統(tǒng)。因此，對于可擴(kuò)展和通用后端光刻的需求不斷增長，以實(shí)現(xiàn)封裝和系統(tǒng)級的互連。為了滿足這一新的行業(yè)愿景，需要能夠通過高級封裝快速集成新穎功能元素的大規(guī)模生產(chǎn)新工具。大批量制造（HVM）行業(yè)必須超越保守的芯片圖案設(shè)計(jì)，并進(jìn)入數(shù)字光刻技術(shù)的新時(shí)代。

EV Group開發(fā)了MLE™（無掩模曝光）技術(shù)，通過消 除與掩模相關(guān)的困難和成本，滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和ZUI小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。 MLE™解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設(shè)備與快速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案，可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級設(shè)計(jì)，支持現(xiàn)有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應(yīng)性，并具有多級冗余功能，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）。

EVG的MLE™無掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求，而且還滿足MEMS，生物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。

2. 產(chǎn)品特征

1.全分辨率，免縫合動(dòng)態(tài)光刻膠圖案

2.任意方向上的線/空間分辨率均優(yōu)于2 µm

3.得益于數(shù)字可編程布局，設(shè)計(jì)自由和數(shù)據(jù)具有機(jī)密性

4.單獨(dú)的模具標(biāo)識(shí)（序列號(hào)，加密密鑰等）

5.晶圓級自適應(yīng)配準(zhǔn)的補(bǔ)償

6.不受基材變形和翹曲的影響（厚晶圓，玻璃或有機(jī)基材）

7.智能敏捷的數(shù)字光刻處理基礎(chǔ)設(shè)施

8.無耗材技術(shù)

3. 先進(jìn)封裝的后端光刻技術(shù)面臨的新挑戰(zhàn)

隨著異構(gòu)集成成為半導(dǎo)體開發(fā)和創(chuàng)新中日益增長的驅(qū)動(dòng)力，影響了先進(jìn)的封裝，MEMS和PCB市場，對后端光刻的要求也在不斷增長。例如，在高級封裝中，對重新分布層（RDL）和中間層及其連續(xù)密集的線/空間（L / S）的蕞低分辨率要求變得越來越嚴(yán)格。在某些情況下，它們接近或超過2微米，而裸片放置變化和使用經(jīng)濟(jì)高 效的有機(jī)基板則要求在圖案形成方面具有更大的靈活性。在垂直側(cè)壁圖案化中對更高的覆蓋精度以及高聚焦深度的要求也在增長。新的要求，例如蕞小化因扇出型晶圓級封裝（FoWLP）中的晶圓變形引起的圖案變形和芯片偏移以及對厚光刻膠和薄光刻膠的支持，僅是現(xiàn)有和未來高級封裝光刻系統(tǒng)的一些標(biāo)準(zhǔn)。

3.1 高級封裝

1.用于大型中間層，扇出和扇入晶圓級封裝（WLP）器件的重新分布層圖案

2.無掩模版尺寸限制

3.具有失真和模頭偏移補(bǔ)償?shù)目勺儓D案

4.高圖案產(chǎn)量，低成本

3.2 微機(jī)電系統(tǒng)

1.高產(chǎn)品組合和高掩模/掩模版成本推動(dòng)了對無掩模光刻的需求

2. 3D光刻膠構(gòu)圖，用于多步和傾斜角邊緣工藝

3.高聚焦深度，可在溝槽中進(jìn)行構(gòu)圖

3.3 生物醫(yī)學(xué)

1.大型射流裝置

2.圖案在微米到毫米的范圍內(nèi)

3.理想的低擁有成本

4.適應(yīng)性強(qiáng)的圖案解決方案，適用于多種產(chǎn)品組合

5.可擴(kuò)展用于各種基材尺寸和生物相容性材料

3.4 HDI印刷電路板

1.嵌入式裸片和高密度重新分配所需的PCB線和空間分辨率

2.必要的翹曲和模具位置校正

3.多種面板尺寸的可變圖案

探針卡的制作過程會(huì)用到以上的技術(shù)，如MEMS，電路印刷等。無掩模曝光光刻技術(shù)非常適合于探針卡的研發(fā)和制作的用戶。

4. 曝光原理

5. 不同光刻技術(shù)的比較

每個(gè)光刻工藝的劾心要素是曝光單元，它定義了光刻技術(shù)的特性。當(dāng)前，市場上有幾種常用的曝光方法。在掩模對準(zhǔn)器的情況下，圖案通過與光敏的，涂覆有光刻膠的晶圓片非常接近的掩模直接暴露在基板上。ZUI小圖案尺寸由掩模和晶圓片之間的曝光間隙定義。掩模和光刻膠表面的緊密距離將使圖案更??；但是，間隙太小會(huì)導(dǎo)致掩模污染并導(dǎo)致成品率問題。即使生產(chǎn)中的ZUI小分辨率限制為幾微米，掩模對準(zhǔn)器仍可實(shí)現(xiàn)低成本，高產(chǎn)量的圖案化解決方案，尤其是在需要高曝光劑量和厚光刻膠或晶圓級設(shè)計(jì)的情況下。

為了克服這些過程中的某些困難，后端（BEOL）步進(jìn)機(jī)在掩模/標(biāo)線片和晶圓之間使用了投影光學(xué)器件，以在不污染的情況下對較小的特征尺寸進(jìn)行圖案化。然而，由于復(fù)雜物鏡的光學(xué)設(shè)計(jì)以及因此限制了曝光場的大小，因此曝光在曝光之間以強(qiáng)的加速度順序或逐步進(jìn)行。

掩模對準(zhǔn)器和步進(jìn)器都是基于掩模的，其中，除了上述限制外，與掩模相關(guān)的成本是整個(gè)構(gòu)圖工藝的重要額外成本因素。排除掩模成本的一種解決方案是激光直接成像技術(shù)，該技術(shù)使用以順序方式曝光小的幾何元素的單個(gè)或多個(gè)激光束。即使考慮到直接成像技術(shù)的優(yōu)勢，曝光的順序性質(zhì)也會(huì)導(dǎo)致較大的成本和非常低的產(chǎn)量。

MLE™無掩模曝光技術(shù)以并行掃描的方式曝光一個(gè)或多個(gè)寬條，并通過緊密集成的群集寫頭配置來容納任何尺寸的晶圓片，直至整個(gè)面板。它支持使用多波長高功率紫外線源的所有市售光刻膠。吞吐量與布局復(fù)雜度和分辨率無關(guān)，并且無論光刻膠如何，MLE™無掩模光刻技術(shù)均可實(shí)現(xiàn)相同的構(gòu)圖性能。MLE™補(bǔ)充了EVG現(xiàn)有的光刻系統(tǒng)，專門為了滿足其他方法面臨可伸縮性，CoO擁有成本和其他限制的客戶需求。

6. 環(huán)氧樹脂的創(chuàng)新解決方案

MLE™無掩模光刻技術(shù)可實(shí)現(xiàn)重疊（<2微米L / S），無針跡的整個(gè)基板表面無掩模曝光，并具有高產(chǎn)量和低擁有成本。該系統(tǒng)可通過添加或移除紫外線照射頭來根據(jù)用戶需求進(jìn)行縮放-促進(jìn)從研發(fā)到HVM量產(chǎn)模式的快速過渡，以優(yōu)化生產(chǎn)量，或適應(yīng)不同的基板尺寸和材料-是處理小尺寸基板的靈活且可擴(kuò)展的大功率UV激光源，MLE™可以在不考慮光刻膠的情況下實(shí)現(xiàn)相同的構(gòu)圖性能，它提供了多種波長曝光選項(xiàng)功能。

7. 技術(shù)優(yōu)勢

與現(xiàn)有的大批量制造光刻方法相比，具有WU YU LUN BI的靈活性，可擴(kuò)展性和擁有成本優(yōu)勢。

MLE™無掩模光刻技術(shù)消 除了不斷增加的各種芯片設(shè)計(jì)和掩模庫存管理掩模成本的難題，而掩模成本占總體開發(fā)和生產(chǎn)成本的很大一部分。減少圖案可變性（就襯底尺寸和材料多樣性而言）對上市時(shí)間的影響是后端光刻技術(shù)的另一個(gè)增長需求。 MLE™無掩模光刻技術(shù)是一種可擴(kuò)展的方法，可以對從各種晶圓尺寸到面板的任何基板形狀進(jìn)行圖案化。該技術(shù)采用了在375 nm和/或405 nm波長下運(yùn)行的多波長群集激光光源，因此可以進(jìn)行薄光刻膠圖案化，包括正和負(fù)光刻膠，聚酰亞胺，干膜光刻膠和PCB圖案以及厚光刻膠晶圓級封裝，MEMS結(jié)構(gòu)，微流體技術(shù)和集成硅光子學(xué)應(yīng)用中常見的高縱橫比曝光。

除了與掩模相關(guān)的困難之外，當(dāng)前基于掩模的技術(shù)還面臨與高階襯底變形有關(guān)的工藝問題，因此對變形的控制有限。相比之下，借助集成的動(dòng)態(tài)對準(zhǔn)功能，MLE™無掩模光刻技術(shù)能夠適應(yīng)較高的基板應(yīng)力，彎曲和翹曲，以便適應(yīng)基板材料和表面變化，同時(shí)積極補(bǔ)償機(jī)械模具的放置和應(yīng)力引起的誤差（例如旋轉(zhuǎn)，位移，擴(kuò)展和高階失真誤差）。同時(shí)，它允許同時(shí)進(jìn)行實(shí)時(shí)數(shù)字/“二進(jìn)制"晶圓級布局和單個(gè)裸片布局圖案化；特別是特定的個(gè)人模具注釋序列號(hào)或加密密鑰。另外，在構(gòu)圖過程中對紫外線劑量的可編程調(diào)制使顯影過程后光刻膠厚度水平發(fā)生變化。這一倬越的功能使制造復(fù)雜的3D多層光刻膠圖案成為可能，可應(yīng)用于未來的MEMS，新型光子器件或微光學(xué)元件（折射，衍射）。數(shù)字可編程裸片/晶圓布局可以以多種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)矢量文件格式（例如GDSII，Gerber，OASIS，ODB ++或BMP）存儲(chǔ)。具有任何給定圖案復(fù)雜度的矢量布局將在幾秒鐘內(nèi)進(jìn)行計(jì)算處理（柵格化），并以位圖格式存儲(chǔ)。結(jié)果，光刻膠類型（正負(fù)），曝光劑量水平或任何給定的設(shè)計(jì)布局復(fù)雜度都不會(huì)對構(gòu)圖過程的速度產(chǎn)生任何影響。

高分辨率AZ MIR 701正色調(diào)光刻膠中的MLE™曝光結(jié)果

資料來源：EVG

使用MLE™無掩模光刻技術(shù)的單個(gè)模具注釋

資料來源：EVG

8. 建立新的數(shù)字基礎(chǔ)架構(gòu)

EV Group開發(fā)的新型MLE™（無掩模曝光）技術(shù)的目標(biāo)不僅是將新的光刻工具推向市場，而且還應(yīng)解決半導(dǎo)體行業(yè)向智能化和敏捷數(shù)字處理發(fā)展的趨勢，同時(shí)提供DU TE的無掩?？蓴U(kuò)展性吞吐量，格式和相關(guān)的無耗材基礎(chǔ)設(shè)施。利用這種ZUI XIAN JIN的曝光技術(shù)還可以解決由新材料或柔性基板的部署所驅(qū)動(dòng)的新型市場所面臨的挑戰(zhàn)。這項(xiàng)新技術(shù)為當(dāng)前保守的環(huán)境帶來了幾乎無限的設(shè)計(jì)靈活性，為創(chuàng)新提供了空間，有助于縮短開發(fā)周期，同時(shí)通過使兩個(gè)領(lǐng)域都可以使用wan quan相同的技術(shù)來彌合研發(fā)與HVM之間的鴻溝。在競爭激烈的全球半導(dǎo)體行業(yè)市場中，制造靈活性，可擴(kuò)展性，開發(fā)和運(yùn)營成本已經(jīng)是縮短產(chǎn)品上市時(shí)間的極其重要的因素，這對于通過提供類似的突破性解決方案來保持和擴(kuò)大市場fen e至關(guān)重要?？偠灾碌臄?shù)字基礎(chǔ)架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)設(shè)備創(chuàng)新，同時(shí)將成本保持在合理水平。

在50 µm厚的層中的MLE™曝光JSR THB 151N負(fù)性光刻膠

資料來源：EVG

在600 µm厚的SU8中進(jìn)行MLE™曝光結(jié)果

資料來源：EVG

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